据新华社信息，日本产业技术综合研究所近日发布消息说，它们通过自行开发的“大容量高纯度臭氧发生装置”生产出浓度高于90%的臭氧，并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度的较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

这种新工艺所需的温度比以往的高温热氧化法低500摄氏度，可望用来制造不能用高温工艺流程生产的液晶仪表板和用于非挥发性存储器的高性能氧化保护膜等。

臭氧是一种有很强化学反应能力的强氧化剂，广泛应用于半导体生产。但是它在热反应中很容易分解成氧气，所以很难用于全面加热的热壁式氧化炉。而产业技术综合研究所新开发的一种冷壁式氧化炉，在用臭氧进行氧化的过程中靠红外线灯给予局部加热，从而抑制了超高浓度臭氧的分解。

《日本工业新闻》报道说，这种方法只需要400摄氏度的温度，但是能达到和以往在900摄氏度的条件下进行反应时相同的氧化膜生成速度。专家们对通过新方法制成的硅氧化膜的性能进行了测试，测试结果完全符合设计要求。