作为一种最重要、最成熟的化合物半导体材料，砷化镓是当前国际上热门的科技前沿技术材料，我国目前已进入该技术领域的世界前列。   北京有色金属研究总院承担的"九五"国家重点科技攻关项目"蒸汽压控制直拉法(VCZ法)生长半绝缘砷化镓单晶新技术研究"日前通过国家验收，利用该技术，北京有色金属研究总院成功拉制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单晶，使我国成为继日本、德国之后第三个掌握该技术的国家。