铈（Ce）元素是储量极为丰富且廉价的稀土元素之一，由于其独特的 4f 电子结构，近年来铈元素在合金、荧光、磁性以及催化等多个领域都得到了广泛的应用。相应地，其氧化物二氧化铈（淡黄色粉末）也引起了人们极大的关注。CeO2晶体结构为立方萤石结构

石墨烯量子点（GQDs）是石墨烯的纳米级碎片，具有独特的物理和化学性质，如量子尺寸效应、边缘效应等。通过特定的合成方法，可以控制GQDs的尺寸、形状和发光性能。目前先丰纳米在售的量子点分为氧化石墨烯量子点、石墨烯量子点、半导体量子点等，客户

对于表征二维材料来讲，微栅孔与孔之间的间隙和微栅上面的碳膜是至关重要的，进口微栅是表征二维纳米片的**选择TEM衬底。技术参数型号:01881-F目数：200目栅格孔尺寸：～97µm 原始包装：50片/盒应用用于表征二维纳米片的T

二氧化锡（SnO2）是一种宽禁带n型金属氧化物半导体材料。SnO2 晶体属于四方晶系正方形晶体，晶体呈双锥状、锥柱状，有时呈针状，为金红石结构，其晶格常数为 a=b=0.4738 nm，c=0.3187 nm。纯SnO2的理论密度为6.95

钙钛矿量子点（Perovskite Quantum Dots, PQDs）是一类基于钙钛矿材料的量子点，是一种新型光电纳米材料。钙钛矿量子点是由具有钙钛矿结构的半导体晶体组成，大小在几纳米到几十纳米之间。钙钛矿结构是一种具有通用化学式ABX

单斜相TaTe2具有金属超导性（在0.1K或施加静水压力下），并且在160-180K左右具有电荷密度波行为。利用通量区法和化学气相输运技术合成了环境稳定的单斜相TaTe2晶体。提供的TaTe2 CDW晶体是**分层的，取向为0001方向，因

碳纳米管是由碳原子组成的单质，可视为石墨烯卷曲形成的中空管状结构。在碳纳米管表面，碳原子彼此间以sp2杂化轨道形式成键，排列为正六边形的石墨层结构。理论上，这种正六边形结构**地均匀地分布于整个碳纳米管的表面。在拓扑上，石墨烯、碳纳米管所共

1T-VSe2是一种金属和电荷密度波（CDW）体系，在110K以下具有不相称的CDW状态。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。VSe2属于v族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的1T相VSe2晶体具有

AIE分子通常在溶液中不发光或发光较弱，但在聚集态下会发出强烈的荧光。通过将AIE分子包裹在聚苯乙烯微球或高分子聚合物中，可以提高其荧光效率，降低外界环境对AIE分子的影响。这样可以限制AIE分子的运动，减少非辐射跃迁，从而提高荧光强度。微

单晶石墨烯是指具有单晶体结构特征的石墨烯材料。石墨烯本身是由单层碳原子构成的二维材料，而单晶体的石墨烯则强调其原子排列的高度有序性，无缺陷，这种结构赋予了它更加优异的物理性质。单晶石墨烯的制备技术多种多样，主要包括以下几种方法： 气相沉积法

CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和

羟基化氮化硼纳米片通过对氮化硼纳米片羟基化修饰得到，具有良好的水分散性，拓宽了其应用领域。氮化硼纳米片（BNNSs）是一种具有独特结构和性能的二维纳米材料。 由硼（B）和氮（N）原子通过共价键结合形成类似石墨的层状结构。 层与层之间通过较弱

英文名称：High Quality carbon nanotube 7-15nm多壁碳纳米管（Multi-walled carbon nanotube，简称 MWCNTs）是一种重要的纳米材料，具有独特的结构和优异的性能。多壁碳纳米管是由多

新型二维纳米材料MXene，是利用MAX相中Ａ片层与MX片层之间的弱结合力，选用合适的刻蚀剂（如HF、LiF+HCl、NH4HF2等）将MAX相中的Ａ原子层剥蚀而制备的一种新型碳/氮化物二维纳米层状材料，兼具良好的导电性和亲水性，成功合成了

单晶石墨烯是指具有单晶体结构特征的石墨烯材料。石墨烯本身是由单层碳原子构成的二维材料，而单晶体的石墨烯则强调其原子排列的高度有序性，无缺陷，这种结构赋予了它更加优异的物理性质。单晶石墨烯的制备技术多种多样，主要包括以下几种方法： 气相沉积法