铈（Ce）元素是储量极为丰富且廉价的稀土元素之一，由于其独特的 4f 电子结构，近年来铈元素在合金、荧光、磁性以及催化等多个领域都得到了广泛的应用。相应地，其氧化物二氧化铈（淡黄色粉末）也引起了人们极大的关注。CeO2晶体结构为立方萤石结构

超级电容器用活性炭，通常也称为超级电容活性炭或炭电极材料，是一种具有独特性能的材料，专门用于超级电容器的制造。超级电容器活性碳具有超大比表面积，这是其优异性能的基础。高比表面积意味着更多的电荷可以在电极表面存储，从而提高电容器的容量。 优良

中空碳球是一种具有中空结构的碳材料，其内部为空心，外部由碳壳层包裹。这种结构赋予了中空碳球许多独特的性能，如高低密度、良好的导电性和导热性等。中空碳球作为一种具有独特结构和优异性能的碳材料，其制备方法多样，主要包括模板法、溶胶-凝胶法、自组

螺环芳烃是一类重要的有机半导体构筑单元，其独特的非平面螺共轭效应、十字交叉构象以及空间位阻效应，可有效提高有机半导体材料的光电性能和器件稳定性。螺芴氧杂蒽（SFX）一锅制备法因其一次三键、高效、快捷的优势，攻关克服了螺二芴合成路线冗长、原料

超级电容器用活性炭是一种具有独特性能的材料具有超大比表面积，这是其优异性能的基础。高比表面积意味着更多的电荷可以在电极表面存储，从而提高电容器的容量。 优良的导电性能使得电荷在电极内部和电极之间能够快速传输，有利于电容器的快速充放电。 合理

过渡金属氧化物由于其丰富的物理，化学性质以及与其它金属化合物相比，具有更易于合成的特点而被广泛的研究。作为过渡金属氧化物中的一员，三氧化钨(WO3)同样因为具有良好的半导体性能以及开发前景而被广泛研究。三氧化钨(WO3)是间接带隙半导体材料

2H-SnS2是一种间接带隙为～2.2 eV的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。SnS2属于14族过渡后金属二硫族。用HQ石墨烯制备的2H相二硫化锡晶体横向尺寸为～0.6-0.8 cm，透明且呈黄色。技术参数

多壁碳纳米管由多层石墨烯片层卷曲而成，层与层之间保持固定的距离，形成同轴圆管结构。其管径通常在5-30nm之间，长度则可从几微米到几十微米不等，具体尺寸取决于制备方法和条件。工业级多壁碳纳米管的纯度可达到95%或更高，确保了其在应用中的稳定

名称：MOF-545 PCN-222(H)金属-有机框架材料(metal-organic frameworks, MOFs)是由金属离子和有机配体组装形成的有机-无机杂化材料(organic-inorganichybrid material

MAX相是一种三元层状陶瓷材料，其中M为过渡族金属元素，A主要为第三主族和第四主族元素，X为碳或氮。这种材料的晶体单元排布为六方结构，空间点群为P63/mmc，其中M原子层和A原子层交替排列，形成类似于密堆积六方的层状结构，而X原子则填充于

性质孔径：30±10nm孔间距：65±10nm膜厚:40-60um尺寸：直径13mm/25mm圆形应用可用于制备纳米材料、光学研究、生物载药、强磁材料等订货信息产品编号包装纯度规格VBG-XFA14-21片孔间距: 65

SAPO-11分子筛是一种具有AEL结构的正交晶系分子筛，其骨架主要由P、Si、Al原子组成的四面体相互交织形成，具有椭圆形十元环一维直孔道。技术参数SSA：～80㎡/gPore volume：0.27㎡/g产品特点独特的孔道结构：SAPO

PEG化球形金纳米颗粒是在水溶性金纳米颗粒的基础上修饰上PEG的，生物相容性提升，且易于后期的修饰或偶联等实验。技术参数直径：100 nm质量浓度：50μg/ml紫外吸收峰：562-566 nm此款产品紫外吸收峰是水相中的测试结果

NanoIntegris 提供的半导体性单壁碳纳米管，是通过对电弧法制备的单壁碳管分离得到的，相比原始的单壁碳管，金属杂质含量小于1%，含有约5%碘元素，源于残留的碘二醇，纯的粉末中没有碘二醇。金属性/半导体性单壁碳纳米管分散液由碳纳米管、

上转换纳米颗粒（Upconversion Nanoparticles，UCNPs）是一种能够将低能量光转化为高能量光的纳米材料，由无机纳米晶掺杂稀土离子构成，具有独特的上转换发光性质。稀土上转换发光是基于镧系稀土离子4f电子跃迁的过程，目前