2H MoTe2 （α相MoTe2）是一种半导体和抗磁性体系，间接带隙为～1.2 eV。单晶2H-MoTe2具有直接带隙，带隙与层数成反比。它是一种直接带隙材料，仅适用于单层或双层。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄

碳纳米管是由碳原子组成的单质，可视为石墨烯卷曲形成的中空管状结构。在碳纳米管表面，碳原子彼此间以sp2杂化轨道形式成键，排列为正六边形的石墨层结构。理论上，这种正六边形结构**地均匀地分布于整个碳纳米管的表面。在拓扑上，石墨烯、碳纳米管所共

CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和

FePS3 (铁磷硫) 是具有单斜晶体结构磁性半导体，晶体沿 0001 方向结晶，材料的光禁带理论为1-1.5eV。FePS3是一种具有吸引力的铁基磁性半导体（Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性（或者类似的效

二氧化钒是单斜晶系结构的深蓝色晶体粉末，工业上可由钒酸铵或五氧化二钒(V2O5)用 气体还原制得。VO2是一种两性化合物，微溶于水，等程度地溶于酸性或碱性溶液；溶于酸性溶液时，生成正二价钒氧基离子(VO2+)，呈现浅蓝色；溶于碱性溶液时，生

英文名称：High Quality carbon nanotube 5-10nm多壁碳纳米管（Multi-walled carbon nanotube，简称 MWCNTs）是一种重要的纳米材料，具有独特的结构和优异的性能。多壁碳纳米管是由多

环氧基化聚苯乙烯微球可定制尺寸范围20nm-100μm。这些微球具有均一的粒径分布，这使得它们在各种应用中表现出一致的性能。技术参数粒径：200nm溶剂：水产品特点单分散性：微球粒径分布均一，这有助于确保实验结果的一致性和可重复性

氧化石墨烯(GO)作为-种新兴的二维无机纳米材料，由于其本身的物理化学特性，在功能材料的制备方面已经得到了广泛的应用。GO本身有丰富的官能团，容易改性和接枝头。GO经过改性与功能化后可以得到结构特异、组成丰富的GO衍生物。氧化石墨烯经过氨基

二硫化钼（2H相）是一种间接带隙为1.2 eV的半导体。单层二硫化钼的带隙约为1.8 eV。例如，二硫化钼被用作光电探测器和晶体管。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。二硫化钼属于第六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）

纳米银粉的粒径通常在1 - 100纳米之间。与宏观银颗粒相比，其粒径极小，这使得纳米银粉具有独特的物理和化学性质。例如，当银颗粒粒径减小到纳米级别时，其表面原子比例大幅增加，表面效应显著增强。 粒径的大小还会影响纳米银粉的颜色。一般来说，随

硼掺杂还原氧化石墨烯粉末是一种经过特殊处理的石墨烯材料，其在石墨烯的基础上引入了硼元素，并通过还原过程去除了氧化石墨烯中的大部分含氧官能团，从而获得了独特的物理和化学性质。技术参数片径：0.5-10 μm TEM厚度：≤5 nm硼

硅量子点（Silicon Quantum Dots，SiQDs）是一类具有独特光学和电子性质的半导体纳米颗粒，其直径通常在1至10纳米之间。由于其独特的量子限域效应特性，硅量子点在生物成像、光电器件、纳米催化等多个领域展现出巨大的应用潜力。

XFQD01是一款以碳纳米管结合高质量薄层石墨烯优异性能的复合粉料。技术参数电导率：550-1000 S/cm松装密度：0.09-0.10 g/cm3振实密度：0.14-0.15 g/cm3外观：黑色粉末产品特点导电性：石墨烯和碳纳米管都是

六方氮化硼是一种带隙约为 6 电子伏特的绝缘体，已被广泛用作由各种类型的二维半导体（如二硒化钨、二硒化钼等）组成的超高迁移率二维异质结构的制备。氮化硼层间通过范德华力相互堆叠，并且可以剥离成薄的二维层，得到单层六方氮化硼。 HQ Graph

α-Al2O3又称纳米氧化铝，为白色蓬松粉末状态，耐热性强，成型性好，晶相稳定、硬度高、尺寸稳定性好，可广泛应用于各种塑料、橡胶、陶瓷、耐火材料等产品的补强增韧，特别是提高陶瓷的致密性、光洁度、冷热疲劳性、断裂韧性、抗蠕变性能和高