层状双氢氧化物（LDHs）是一种类2D水滑石类材料，由带正电荷的主体层和可交换的层间阴离子构成，通常可以表示为 [M2+1-xM3+x(OH)2]x+[(An-)x/n]x-·mH2O（M2+和M3+分别为二价Ni2+、Co2+、

富勒烯 C84 是由84个碳原子组成的一种富勒烯分子，形成封闭的中空笼状结构，这种结构在三维空间中展现出高度的对称性。 C84的笼状结构由五元环、六元环（可能还包括少量的七元环）等环结构组合而成，这种复杂的环组合方式使得C84分子在结构上具

WTe2是一种ii型Weyl半金属，载流子密度低至1E10 cm-2范围，被认为是材料领域的黄金标准。它们在静水压力下也表现出半金属到超导的转变。与其他来源不同，我们的生长涉及高度复杂的浮动区技术，这使我们能够在生长过程中有意地去除缺陷，以

Al-MCM-41 具有六方有序排列的介孔结构，类似于蜂窝状。 从微观角度来看： 孔道呈均匀分布，排列规整。 孔径大小较为均一，通常在 3- 5 纳米之间，且可通过合成条件进行一定程度的调控。 孔壁由无定形的氧化硅组成，其中铝原子以同晶取代

上转换纳米颗粒（Upconversion Nanoparticles，UCNPs）是一种能够将低能量光转化为高能量光的纳米材料，由无机纳米晶掺杂稀土离子构成，具有独特的上转换发光性质。稀土上转换发光是基于镧系稀土离子4f电子跃迁的过程，目前

中文名称：PEG化金纳米棒PEG化金纳米棒是在水溶性金纳米棒的基础上修饰上PEG的，生物相容性提升，且易于后期的修饰或偶联等实验。技术参数浓度：0.1mg/mL溶剂：水产品特点增强的稳定性：PEG 修饰提高了纳米棒在溶液中的稳定性，减少团聚

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热 点，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族宽带隙化合物半导体材料， 内、外量子效率高，具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐 射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，是目前世界上***的半 导

碳纳米管海绵是一种由无数碳纳米管互相搭接形成的三维空间网络结构，具有低密度、高孔隙率、良好的力学性能和超疏水、亲油的表面特性。 由于其高孔隙率和疏水亲油特性，碳纳米管海绵可以用于吸附和分离各种有机物质，如有机溶剂、油类等。它可以快速吸收并储

2H-WS2是一种间接带隙为～1.3 eV的半导体。单层2H-WS2具有直接带隙。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。二硫化钨属于六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的2H相WS2晶体具有典型的横向

PEG化球形金纳米颗粒是在水溶性金纳米颗粒的基础上修饰上PEG的，生物相容性提升，且易于后期的修饰或偶联等实验。技术参数直径：120 nm质量浓度：50μg/ml紫外吸收峰：600-604 nm备注：以紫外吸收峰数据为准，长径比仅

MAB相陶瓷材料是在MAX相陶瓷材料的基础上得到的，MAB是一类具有六方结构的非范德华三元层状陶瓷材料，由过渡族金属元素（Cr、Mn、Fe、Mo、W等）、IIIA或IVA族元素和硼元素组成。技术参数状态：黑色粉末片径：1-25μm

AIE分子通常在溶液中不发光或发光较弱，但在聚集态下会发出强烈的荧光。通过将AIE分子包裹在聚苯乙烯微球或高分子聚合物中，可以提高其荧光效率，降低外界环境对AIE分子的影响。这样可以限制AIE分子的运动，减少非辐射跃迁，从而提高荧光强度。微

氧化钛纳米管具有纳米级管状结构，这使得其表面积大，孔隙结构多样。这种结构特点有利于光催化反应中光能的吸收和催化效率的提升。二氧化钛纳米管具有丰富的活性表面和催化活性，能够高效地吸收光能并产生电子-空穴对，从而引发氧化还原反应。这种高效的光催

碳纳米管浆料是一种含有碳纳米管的复合材料。它主要是将碳纳米管均匀分散在溶剂中，同时还会添加分散剂等成分。碳纳米管是一种纳米材料，有良好的电学、力学等性能。把它制成浆料，可以让其更好地应用在不同场景。比如在锂电池生产中，这种浆料作为导电剂添加

石墨烯量子点（GQDs）是石墨烯的纳米级碎片，具有独特的物理和化学性质，如量子尺寸效应、边缘效应等。通过特定的合成方法，可以控制GQDs的尺寸、形状和发光性能。目前先丰纳米在售的量子点分为氧化石墨烯量子点、石墨烯量子点、半导体量子点等，客户