型号：AM-800-3
产地：广东
产品简介：AM-800-3电弧熔炼炉（3工位，带有铸造和磁力搅拌系统，最大熔炼量为200g）是一款大型的高真空电弧熔炼系统，3个熔炼工位（3坩埚）。一个工位带有磁力搅拌系统（熔炼量为80g）,一个熔炼工位带有真空吸注装置（熔炼量为150g）
型号：SKCC-ZZB-X
产地：广东
SKCC-ZZB-X高真空磁控溅射永磁靶头（自旋转靶头）适用靶材种类较广，如金属/绝缘靶或磁性/非磁性靶材。配装有环形永磁体在靶头上，以保证溅射镀膜的效率和均匀性。可与DC或RF电源配合使用。产品型号SKCC-ZZB-X（高真空磁控溅射自旋
型号：)-Se-KTQ-4-25
产地：广东
产品详细介绍：Se-KTQ-4-25是一款微米级可调4工位制膜器，可与本公司流延涂布机结合使用，一次性涂覆4种不同的材料样品，缩短实验周期，实现高通量方法在流延涂覆制膜中的应用。产品型号微米级可调4工位制膜器 （高通量流延涂布用，单工位：2
型号：VTC-200
产地：广东
VTC-200真空旋转涂膜机具有操作简单、清理方便，体积小巧等优点，主要应用于各大专院校、科研院所的实验室中进行薄膜的生成过程。VTC-200真空旋转涂膜机工作时利用真空盘吸附的方式将样品固定在载样盘上，该设备利用两段程序控制速度。首先开动
型号：MSK-510
产地：广东
MSK-510小型液压圆柱电池封装机标准配置可用于封装18650圆柱电池，根据需求更换部分模具配件后，可封装26650等其它圆柱电池。MSK-510小型液压圆柱电池封装机操作视频产品型号MSK-510小型液压圆柱电池封装机主要特点1、采用特
型号：TH172
产地：广东
TH172体化里氏硬度计是一种新型的袖珍式一体化硬度测试仪器，以里氏硬度为原理，测出里氏（HL）硬度值经过程序自动转换成布氏、洛氏、维氏、肖氏等硬度值，还可以配置各种测试配件，来满足于各种测试条件和环境，具有测试精度高、体积小、操作容易、携
型号：MSK-SFM-500D
产地：广东
产品简介：MSK-SFM-500D高剪切分散乳化机是一款直立式安装的高剪切乳化设备，具有转速记忆功能，可预先设定转速，随时可暂停。三种不同孔型定子头可适用于各种不同粘度的浆料，可在各种大、小反应釜、普通容器及真空容器上实现物料的分散、乳化、
型号：SYJ-100D
产地：广东
产品简介：SYJ-100D低速金相试样切割机主要用于材料研究领域。适用于未淬火的黑色金属和有色金属的切割，也可用于工厂的小规模生产。该机具有加工精度高，性能稳定可靠，操作简单，适用范围广的特点。本机应用于大专院校，科研院所及生产领域。产品型
型号：MSK-AFA-IIID-UV
产地：广东
产品简介：：MSK-AFA-IIID-UV紫外光流延自动烘干涂膜机是我公司设计研发的一款底部加热型小型自动流延涂膜刮膜机，主要用于实验室涂覆液体状或胶体状薄膜使用，设备采用无级变速电机对涂膜速度进行精确控制，达到均速推进刮刀进行涂膜的目的，
产地：广东
磁力片主要用于粘附在铝抛光盘或研抛底片上，用于吸附固定研抛底片，从而达到固定研磨纸的目的。磁力片主要由橡胶与磁力粉混合制成，既具有一定的弹性，又具有磁性。具有弹性可以使变性后的磁力片及时恢复原状；具有磁性可以保证磁力片与外界平面的紧密贴合。
型号：HPM-1.6
产地：广东
HPM-1.6恒力手动压力机主要用于材料压制，在压制过程中对物体施加相等的压力。产品型号HPM-1.6恒力手动压力机主要特点体积小，重量轻，易操作，适合于大专院校、研究所使用。技术参数1、压力：1600N2、行程：0-40mm3、台面尺寸：
产地：广东
碳化硅研磨微粉具有硬度大，切削力强，耐磨损等特点，因此被广泛应用于各类硬质材料的研磨抛光当中，如晶体、陶瓷、金属、各类硬质合金、宝石等，根据研磨要求的不同选用的碳化硅颗粒度大小有所不同。我公司的碳化硅研磨微粉品质稳定，结晶好，表面清洁度高，
型号：500CIP-60MAF
产地：广东
500CIP-60MAF超高压冷等静压机是把制品放置于盛满液体的密闭容器中，通电后液体对样品各个表面施加的压力是相等的，在高压的环境下，使得制品的密度变大，样品颗粒的间隙变小，并得到所需的形状。随着科学技术的进步及我们对粉末材料的深入研究，
型号：IMCS-1500RC-1500
产地：广东
产品简介：IMCS-1500RC-1500℃气氛保护连续铸造炉是一款感应加热的连续铸造炉，可在气氛保护环境下各种合金进行熔炼和连续铸造，可铸造出棒材，管材和金属板材，最高熔炼温度可达1500℃。产品名称IMCS-1500RC-1500℃气氛
型号：VTC-16-D
产地：广东
VTC-16-D小型直流磁控等离子溅射仪靶头尺寸为2英寸，样品台与溅射头之间的高度在30-80mm之间可以调节。安装有一可手动操作的溅射挡板，可进行预溅射。溅射头对样品的溅射时间在1-120s之间可调，若想获得薄的薄膜，溅射时间可以设置短一