型号：T-Rad-Analog
Analog interface for THZ-B seriesAnalog (BNC) power module, to interface THZ-B heads with oscilloscopes and lock-in ampl
型号：XLPF12-3S-H2-D0
低功率热电堆光学探测器的低噪音和热敏器件的宽幅大功率小的热漂移只有 6 µW/°C（带红外滤波片）高灵敏度200 mV/W（无红外滤波片）用于超短脉冲的特殊型号VP（容积吸收剂）版本特别适合发射超短脉冲的低功率激光器（ps和fs）红外滤波片
型号：THZ5I-BL-BNC
相对测量范围从 0.1 至 30 THz宽带，室温操作，使用更方便，价格比Golay cell 探测器便宜测量功率范围，nW 至 mW采用先进的热电传感器，1 nW 分辨率内测量范围可低至 50 nW集成的模拟模块直接将头插到示波器内电池或
型号：THZ5B-BL-DZ-D0
相对测量范围从 0.1 至 30 THz宽带，室温操作，相较于高莱探测器更易于使用且价格便宜从 nW 至 mW 的宽动态范围采用先进的热电传感器，1 nW 分辨率内测量范围可低至 50 nW。多种传感器尺寸，可供选择可选直径范围，5 mm
将红外光转换为可见光红外适配器可将 1495 nm 到 1595 nm 之间的波长转换成 950 nm 到 1075 nm 之间的较短波长。较大光束成像放大属性可对比传感器大的光束成像。优质成像配备优质增透膜输入窗口，可以在低失真和大图像分
型号：UP50N-50H-W9-D0
模块化概念提高探测器的功率：有4种不同的冷却模块损坏阈值非常高平均功率密度100 kW/cm2孔径非常大有效孔径的直径为50 mm ，非常适合大光束在这一系列中是高的能量读数测量单次能量上升可高达 500 J智能接口包含所有的校准数据
型号：ND3.0
激光功率管理CMOS 传感器的饱和点和损伤阈值都较低。因此，控制激光功率对于获得佳测量结果并避免损坏 BEAMAGE 相机来说非常重要。根据需要进行堆叠和衰减这些滤光片可降低所有波长的强度而不会影响光束的波前或使图像失真。许多滤光片可以直接
型号：PH20-Ge-OD1-D0
大光圈硅传感器光圈为10 mm直径3种型号硅 350 - 1080 nm，高达750 mW紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW锗 800 - 1650 nm，高达500 mW衰减器选择OD0.3: 50% 传输(PH100-S
型号：QE65LP-H-MB-D0
模块化概念提高检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块大孔径65 x 65 mm的有效孔径可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长噪声水平低MB涂层10 µJ测试目标包括M
型号：QE50LP-H-MB-QED-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层10 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器高重复率（4000 Hz）测试
型号：HP100A-12KW-HD-IMP-D0
大功率可处理高达 15 kW 的连续电力。可定制功率更高的型号（详见 SUPER HP）稳定读数较之其他高功率水冷仪表，该产品对水冷温度差异的敏感度更低大孔径我司标准的 HP 型号（4KW，12KW和15KW）具有非常有效的孔径，直径达12
型号：ND2.0-FOCUS
激光功率管理CMOS 传感器的饱和点和损伤阈值都较低。因此，控制激光功率对于获得佳测量结果并避免损坏 BEAMAGE 相机来说非常重要。根据需要进行堆叠和衰减这些滤光片可降低所有波长的强度而不会影响光束的波前或使图像失真。许多滤光片可以直接
型号：QE25LP-S-MB-QED-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层2 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器QE12HR-MB: 1 000
型号：UP19K-50L-W5-D0
模块化概念提高探测器的功率：有5种不同的冷却模块损坏阈值非常高平均功率密度100 kW/cm2设计紧凑仅21 mm 厚（15S 型）能量模式测量单次能量上升可达 200 J
型号：UP55N-40S-H9-D0
模块化概念提高您的探测器的功率：有4种不同的冷却模块性能高上升时间快（2 秒）损坏阈值高（45 kW/cm2）设计紧凑仅32 mm 厚（40S 型）能量模式测量单次能量上升高至 200 J智能接口包含所有的校准数据