型号：UG11-UV
紫外带通滤光片这对于波长在 250 nm 至 370 nm 之间的应用尤其适用。其他波长均被滤光片阻隔。几分钟便可准备就绪UG11-UV 采用 SM1 螺纹，配备用于 C 口适配器的 SM1，以便您将其安装到 BEAMAGE 相机上。
型号：UP19K-110F-H9
型号：PH100-SiUV-OD1-D0
大光圈硅传感器光圈为10 mm直径3种型号硅 350 - 1080 nm，高达750 mW紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW锗 800 - 1650 nm，高达500 mW衰减器选择OD0.3: 50% 传输(PH100-S
型号：UP55C-2.5KW-HD-D0
高密度吸收器HD吸收器是市场上用于高功率的强大的吸收器，展示了其在处理高平均功率和高功率密度方面的能力。低价格的性能和速度同时测量非常低和非常高的功率（高达2500W），响应时间非常迅速。一款比市场上任何其他高功率解决方案都更具性价比的紧凑
型号：ND2.0
激光功率管理CMOS 传感器的饱和点和损伤阈值都较低。因此，控制激光功率对于获得佳测量结果并避免损坏 BEAMAGE 相机来说非常重要。根据需要进行堆叠和衰减这些滤光片可降低所有波长的强度而不会影响光束的波前或使图像失真。许多滤光片可以直接
型号：UP19K-15S-W5-D0
模块化概念提高探测器的功率：有5种不同的冷却模块损坏阈值非常高平均功率密度100 kW/cm2设计紧凑仅21 mm 厚（15S 型）能量模式测量单次能量上升可达 200 J
型号：QE12LP-H-MB-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层0.7 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器QE12HR-MB: 1 0
型号：PH20-Ge-OD2-D0
大光圈硅传感器光圈为10 mm直径3种型号硅 350 - 1080 nm，高达750 mW紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW锗 800 - 1650 nm，高达500 mW衰减器选择OD0.3: 50% 传输(PH100-S
型号：M-LINK
万用表阅读所有标题：电力：热电锥、光电探测器和热电辐射计能量：热电锥（单步模式）、光电探测器和热电辐射计测量fJ能量级多亏了M-LINK独特的脉冲均衡特征，使得在进行脉冲到脉冲的测量时，脉冲之间的不规则性得到均衡。外部触发将 M-LINK
型号：PE3B-Si-D0
噪声极低采用M-LINK、MAESTRO和S-LINK监控器进行测量，噪音低至8 fJ。提供3种传感器PE-B-Si 系列：直径3 mm和10 mm的硅传感器，适于0.21 to 1.08 µmPH5B-Ge：直径5 mm的锗传感器，适于0
型号：M6-6-In-L
Up to 200 kHz Pulse-to-PulseMeasure EVERY pulse, with no sampling, at high rep rates, up to 200 kHzCapture and Store up
型号：QE12HR-H-MB-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层0.7 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器QE12HR-MB: 1 0
型号：HP60A-15KW-GD-IMP-D0
大功率可处理高达 15 kW 的连续电力。可定制功率更高的型号（详见 SUPER HP）稳定读数较之其他高功率水冷仪表，该产品对水冷温度差异的敏感度更低大孔径我司标准的 HP 型号（4KW，12KW和15KW）具有非常有效的孔径，直径达12
型号：UM9B-BL-D0
非常低的噪声级光电探测器的噪声级，但热电辐射计具有较大的带宽非常大的带宽从DUV到FIR的进步多亏了热电辐射计技术智能接口包含所有的校准数据
型号：QE12HR-H-MT-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层0.7 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器QE12HR-MB: 1 0