型号：PI 640i G7
产地：上海
optris® PI 450i/640i G7 红外热像仪 是PI系列中玻璃行业专用热像仪。 专为玻璃工业而设计，本热像仪仅在一个光谱范围内进行测量。Optris热像仪的典型参数 - 高测量速度（80 Hz）、高光学分辨率（640 x 48
型号：PI 1M
产地：上海
新开发的光学相机optris®PI 1M特别适用于金属的温度测量，因为它们在短测量波长1μm 下的发射率明显高于以前测量常规的8-14 μm 波长范围内。与热处理的可视化同时，高精度传感器电子设备响应时间短，用于显示中心像素的温度信息。主要
型号：CT LT/CTex LT
产地：上海
optris CT LT型高温测温仪配备了当今世界上极小红外传感器之一，光学分辨率高达22：1。另外，由于可选择的模拟输出以及电子盒中的几个数字接口，因此具有高可变性。扩展版本，CTex LT型高温测温仪还配备齐纳双重屏障（用于易爆区域）。
型号：CTlaser 4M
产地：上海
optris CTlaser 4M红外温度计的波长范围为2.2-6μm，非常适合测量金属，金属氧化物，陶瓷或发射率未知或变化的材料。 它的温度范围在0°C至500°C之间，无需额外冷却即可在高达85°C的温度下使用。由于其90μs的超快速曝
型号：PI 400i/PI 450i
产地：上海
optris PI 400i / PI 450i是同类产品中以小巧著称的红外热成像仪。配备有80赫兹的测量速度和382×288象素的光学分辨率，提供高速实时热成像图像。PI450高分辨率红外热像仪，拥有40 mK高热灵敏度，特别适合用于检测
型号：PI 08M
产地：上海
新研发的 optris® PI 08M 热像仪的光谱范围为 800 nm，可减少因未知或变化的发射率引起的测量误差。这款红外热像仪结构紧凑，由于其光谱范围以及 575 °C 到 1900 °C 的连续测量范围，几乎适用于所有的 NIR 和
型号：CTlaser 3M
产地：上海
optris CTlaser 3M型红外测温仪非常适用于金属和复合材料的低温测量。 温度量程在50°C至1800°C之间，无须冷却可在高达85°C的温度下使用。由于其极短的1 ms响应时间，所以红外测温仪即使在高达0.7 mm的测场内，也能
型号：Xi 80
产地：上海
optris 全新研发的 Xi 80 结合了传统红外热像仪和红外测温仪的优点。 80x80 全像素分辨率热像消除了对单点温度传感器所需的热点和繁琐定位的困扰。集成的点追踪功能将识别图像中冷/热点，并且无需连接外部 PC 便可自动传达这些测量
型号：CTvideo 3M
产地：上海
optris CTvideo 3M型红外视频测温仪非常适用于可耐50°C起的金属和复合材料的低温测量的低温测量。视频模块和激光瞄准镜的并行使用，即使测量对象位于难以到达的区域，也可轻松准确标记测场。测量参数温度量程1）（通过软件测量）50°
型号：CT 4M
产地：上海
仅90μs的快速曝光时间使高速红外测温仪CT 4M成为测量快速过程的理想传感器。由于其较短的测量波长和0°C至500°C的温度范围，optris CT 4M高温计适用于测量金属、金属氧化物、陶瓷或发射率未知或变化的材料。测量装置的电子箱通过
型号：PI 640i
产地：上海
optris® PI 640i 红外热像仪是全球小型测量VGA红外热像仪之一。 具有640x480像素的光学分辨率，PI 640i实时提供高清晰辐射图像和视频。Optris®PI 640i 的机身尺寸为45x56x90毫米，重量只有320克
型号：CTlaser P7
产地：上海
optris CTlaser P7型红外测温仪非常适合塑料材料的温度测量，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚氨酯，聚四氟乙烯或聚酰胺和用于测定玻璃表面的温度。其温度量程为0°C到710°C，无须冷却可耐85°C。测量塑料薄膜和玻璃温度的红外测温仪
型号：CT 3M
产地：上海
由于其测量波长短和50°C的温度量程，optris CT 3M型高温测温仪非常适用于金属和复合材料的低温测量。只有1 ms的快速响应时间可以在快速过程中无故障使用金属测温计。测量装置的电子盒可灵活终端装置通过可选的模拟输出以及各种可选的数字
型号：CTfast LT
产地：上海
optris CTfast LT红外测温仪非常适合快速运动物体测温，因为它的响应时间极短，为6ms。测温范围-50°C至975°C，可对快速过程进行连续温度监测。测量参数温度量程（通过设置键或软件测量）-50°C～ 975°C光谱范围8～
型号：optris PI
产地：上海
新开发的显微镜头专门设计用于电子板的热检查和分析小至 28 μm 的芯片级组件。测量目标与热像仪之间的距离可在 80 至 100 mm 之间变化。主要参数可分析小至 28 μm 的芯片级组件；可同时进行测试和红外成像的免提操作；镜头可更换、