型号：QE12HR-H-MT-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层0.7 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器QE12HR-MB: 1 0
型号：QE25HR-H-MB-QED-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层2 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器QE12HR-MB: 1 000
型号：PRONTO-3K
用于高功率的 PRONTO 系列替代了现在停产的 FLASH 系列。PRONTO 型号具有相同的激光测量功能，但采用新改良的电子技术，能够记录数据、增加校准点，并且可以通过 USB 连接进行数据传输和电池充电。功率范围大低噪声 = 一台设
型号：PRONTO-6K
用于高功率的 PRONTO 系列替代了现在停产的 FLASH 系列。PRONTO 型号具有相同的激光测量功能，但采用新改良的电子技术，能够记录数据、增加校准点，并且可以通过 USB 连接进行数据传输和电池充电。功率范围大低噪声 = 一台设
型号：BA16K-150S-H5-D0
激光功率管理CMOS 传感器的饱和点和损伤阈值都较低。因此，控制激光功率对于获得佳测量结果并避免损坏 BEAMAGE 相机来说非常重要。激光光束采样BA 系列光衰减器在两个正交光楔上采用菲涅尔反射，以去除一小部分输入光束。保留入射光束偏振状
型号：PH20-Ge-OD2-D0
大光圈硅传感器光圈为10 mm直径3种型号硅 350 - 1080 nm，高达750 mW紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW锗 800 - 1650 nm，高达500 mW衰减器选择OD0.3: 50% 传输(PH100-S
型号：ND1.0-FOCUS
激光功率管理CMOS 传感器的饱和点和损伤阈值都较低。因此，控制激光功率对于获得佳测量结果并避免损坏 BEAMAGE 相机来说非常重要。根据需要进行堆叠和衰减这些滤光片可降低所有波长的强度而不会影响光束的波前或使图像失真。许多滤光片可以直接
型号：PE3B-Si-D0
噪声极低采用M-LINK、MAESTRO和S-LINK监控器进行测量，噪音低至8 fJ。提供3种传感器PE-B-Si 系列：直径3 mm和10 mm的硅传感器，适于0.21 to 1.08 µmPH5B-Ge：直径5 mm的锗传感器，适于0
型号：UP10K-2S-H5-L-D0
低功率热电堆光学探测器的低噪音和热敏器件的宽幅大功率红外滤波片（UPF10 型）排除不需要的红外干扰高性能上升时间快（1.1 秒）损坏阈值高（36 kW/cm2）紧凑设计只有13 mm 厚（UP10P 型）能量模式测量单次能量上升可高达 3
型号：CL-25
光束尺寸管理如果您需要分析比 BEAMAGE 传感器更大的光束，我们向您提供一个简单的解决方案。该解决方案是一个名叫相机镜头的光束压缩光学组件。巨大光束成像CL 系列相机镜头的工作原理是在光束射入漫射元件之后，间接对光束的反射或透射进行成像
型号：QE25HR-H-MT-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层2 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器QE12HR-MB: 1 000
型号：PH100-Si-HA-OD1-D0
大光圈硅传感器光圈为10 mm直径3种型号硅 350 - 1080 nm，高达750 mW紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW锗 800 - 1650 nm，高达500 mW衰减器选择OD0.3: 50% 传输(PH100-S
型号：NDSET-3
激光功率管理CMOS 传感器的饱和点和损伤阈值都较低。因此，控制激光功率对于获得佳测量结果并避免损坏 BEAMAGE 相机来说非常重要。根据需要进行堆叠和衰减这些滤光片可降低所有波长的强度而不会影响光束的波前或使图像失真。许多滤光片可以直接
型号：THZ9D-20mS-BL-D0
相对测量范围从 0.1 至 30 THz宽带，室温操作，使用更方便，价格比Golay cell 探测器便宜平坦的光谱响应在整个波长范围内获得佳的精度测量更高功率THZ12D 型连续输出功率高达 3 W，在我们产品的太赫兹范围中高居榜首大孔径
型号：UP55M-700W-HD-D0
高密度吸收器HD吸收器是市场上用于高功率的强大的吸收器，展示了其在处理高平均功率和高功率密度方面的能力。快速和紧凑能够测量高达700W连续功率输出的一款非常紧凑的检测器。智能接口包含所有的校准数据